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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-XDIP-T14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-116 |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 40 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSQ3467 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, Ceramic, |
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| NSQ3724 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, Cerami |
|
| NSQ3725 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, Cerami |
|
| NSQ3798 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-116 |
|
| NSQ6002 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-116 |
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| NSQ6659 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP |
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| NSQ6660 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 460MA I(D) | DIP |
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| NSQ6661 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 400MA I(D) | DIP |
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| NSQ6987-100 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, Ceram |
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| NSQ6989-100 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, Ceram |
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