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NSB8BT/81

更新时间： 2024-09-13 15:46:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 68K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3

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NSB8BT/81 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.66应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NSB8BT/81 数据手册

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NSxT, NSFxT, NSBxT  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Glass Passivated General Purpose  
Plastic Rectifier  
Reverse Voltage 50 to 1000  
Forward Current 8.0A  
ITO-220AC (NSFxT)  
0.188 (4.77)  
0.172 (4.36)  
0.405 (10.27)  
0.383 (9.72)  
0.110 (2.80)  
0.100 (2.54)  
TO-220AC (NSxT)  
0.131 (3.39)  
0.122 (3.08)  
0.140 (3.56)  
0.130 (3.30)  
DIA.  
DIA.  
0.415 (10.54) MAX.  
0.185 (4.70)  
0.175 (4.44)  
0.154 (3.91)  
0.148 (3.74)  
0.676 (17.2)  
0.646 (16.4)  
DIA.  
0.600 (15.5)  
0.055 (1.39)  
0.045 (1.14)  
0.370 (9.40)  
0.360 (9.14)  
0.580 (14.5)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
0.113 (2.87)  
0.103 (2.62)  
PIN  
0.145 (3.68)  
0.135 (3.43)  
1
2
0.191 (4.85)  
0.171 (4.35)  
0.603 (15.32)  
0.573 (14.55)  
0.410 (10.41)  
0.390 (9.91)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
0.635 (16.13)  
0.625 (15.87)  
0.110 (2.80)  
0.100 (2.54)  
0.560 (14.22)  
0.530 (13.46)  
0.060 (1.52)  
PIN 1  
PIN  
1
2
1.148 (29.16)  
1.118 (28.40)  
0.160 (4.06)  
0.140 (3.56)  
PIN 2  
0.110 (2.79)  
0.100 (2.54)  
0.037 (0.94)  
0.027 (0.69)  
0.022 (0.55)  
0.014 (0.36)  
0.560 (14.22)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
PIN 1  
PIN 2  
0.530 (13.46)  
CASE  
0.105 (2.67)  
TO-263AB (NSBxT)  
0.037 (0.94)  
0.027 (0.68)  
0.095 (2.41)  
0.022 (0.56)  
0.014 (0.36)  
0.190 (4.83)  
0.160 (4.06)  
0.411 (10.45)  
0.380 (9.65)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
0.055 (1.40)  
0.045 (1.14)  
0.245 (6.22)  
MIN  
Mounting Pad Layout TO-263AB  
K
0.42  
(10.66)  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.19)  
0.360 (9.14)  
0.320 (8.13)  
0.624 (15.85)  
0.591 (15.00)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
0.33  
(8.38)  
K
1
2
0-0.01 (0-0.254)  
0.63  
(17.02)  
0.110 (2.79)  
0.090 (2.29)  
0.027 (0.686)  
0.037 (0.940)  
0.021 (0.53)  
0.014 (0.36)  
PIN 1  
PIN 2  
K - HEATSINK  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.140 (3.56)  
0.110 (2.79)  
0.08  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
(2.032)  
0.12  
(3.05)  
0.24  
(6.096)  
Features  
Mechanical Data  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
• High forward current capability  
• High surge current capability  
• Low forward voltage drop  
Case: JEDEC TO-220AC, ITO-220AC &  
TO-263AB molded plastic body  
Terminals: Plated leads solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: As marked  
• Glass passivated chip junction  
• High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds, 0.160” (4.06mm) lead  
length  
Mounting Torque: 10 in. -lbs. max.  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.064 ounce, 1.81 grams  
Document Number 88690  
08-Jul-02  
www.vishay.com  
1
1234

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与NSB8BT/81相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSB8BT-E3/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, P
NSB8BT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
NSB8BT-E3/81 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
NSB8BTHE3/45 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
NSB8BTHE3/81 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
NSB8BT-HE3/81 VISHAY

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NSB8BTHE3_A/P VISHAY

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NSB8DT VISHAY

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 		GLASS PASSIVATED GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
NSB8DT/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3

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