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NSB8BT-E3/31

更新时间： 2024-11-25 15:46:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 128K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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NSB8BT-E3/31 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.6其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NSB8BT-E3/31 数据手册

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NS(F,B)8AT thru NS(F,B)8MT  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated General Purpose Plastic Rectifier  
FEATURES  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Glass passivated chip junction  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
of 245 °C (for TO-263AB package)  
2
2
1
1
NS8xT  
PIN 1  
NSF8xT  
PIN 1  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds (for TO-220AC &  
ITO-220AC package)  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
TO-263AB  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
2
For use in general purpose rectification of power  
supplies, inverters, converters and freewheeling  
diodes application.  
1
NSB8xT  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
8.0 A  
50 V to 1000 V  
125 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
VF  
1.1 V  
Tj max  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL NS8AT NS8BT NS8DT NS8GT NS8JT NS8KT NS8MT UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
8.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TC = 100 °C  
100  
1000  
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
TJ, TSTG  
VAC  
125  
- 55 to + 150  
1500  
A
°C  
V
Operating junction and storage temperature range  
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
From terminal to heatsink t = 1 minute  
Document Number 88690  
27-Jun-06  
www.vishay.com  
1
12345

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与NSB8BT-E3/31相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSB8BT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
NSB8BT-E3/81 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
NSB8BTHE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
NSB8BTHE3/81 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
NSB8BT-HE3/81 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
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 		DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
NSB8BTHE3_A/P VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
NSB8DT VISHAY

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 		GLASS PASSIVATED GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
NSB8DT/31 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3
NSB8DT-E3/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, P

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