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NS41024S55E-SMD

更新时间: 2024-01-14 07:45:47
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 42K
描述
IC,SRAM,128KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC

NS41024S55E-SMD 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XQCC-N32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.125 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

NS41024S55E-SMD 数据手册

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AN00016A  
Output Load Equivalent  
+5V  
480  
D
OUT  
255Ω  
30 pF  
FIG. 1  

与NS41024S55E-SMD相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NS411426 POWEREX Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1400V V(RRM), Silicon, MODULE-2

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NS411826 POWEREX Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-2

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NS41256L15J/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 15ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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NS41256L20J/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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NS41256L25J/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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NS41256L35E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256L35J/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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NS41256L45E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256S15E/883 NSC IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32, Static RAM

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NS41256S15E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 15ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256S15J-SMD NSC IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC

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NS41256S20E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256S20E-SMD TI IC,SRAM,32KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC

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NS41256S20J/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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NS41256S20J/883 NSC IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28, Static RAM

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NS41256S20J-SMD TI IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC

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NS41256S35E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256S45E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256S45J/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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NS420 HUTSON Silicon Controlled Rectifier, 20A I(T)RMS, 20000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme

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