生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XQCC-N32 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.125 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NS411426 | POWEREX | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1400V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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NS411826 | POWEREX | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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NS41256L15J/883 | TI | 32KX8 STANDARD SRAM, 15ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
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NS41256L20J/883 | TI | 32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
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NS41256L25J/883 | TI | 32KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
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NS41256L35E/883 | TI | 32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
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