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NS41024S55E-SMD

更新时间: 2024-02-24 13:59:12
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 42K
描述
IC,SRAM,128KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC

NS41024S55E-SMD 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XQCC-N32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.125 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

NS41024S55E-SMD 数据手册

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MICROCIRCUIT DATA SHEET  
MDNS41024S55-X REV 0B0  
Graphics and Diagrams  
GRAPHICS#  
DESCRIPTION  
AN00010A  
AN00016A  
AN00017A  
AN00020A  
AN00021A  
AN00024A  
AN00026A  
AN00028A  
P000139A  
BLOCK DIAGRAM - NS41024, NS4A024, NS4R024  
FIGURE 1 - OUTPUT LOAD EQUIVALENT  
FIGURE 2 - OUTPUT LOAD EQUIVALENT  
READ CYCLE 1 (APPLICATION NOTES)  
READ CYCLE 2 (APPLICATION NOTES)  
WRITE CYCLE 1 - WRITE ENABLE CONTROLLED  
WRITE CYCLE 2 - CHIP ENABLE CONTROLLED  
LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM  
CERQUAD LCC (E), 32 LEAD (PIN OUT)  
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