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NP36N055IHE-E1

更新时间： 2024-01-03 13:33:56
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
7页 169K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252

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NP36N055IHE-E1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.67其他特性：TAPE AND REEL
雪崩能效等级（Eas）：108 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NP36N055IHE-E1 数据手册

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NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE  
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)  
1) TO-251 (JEITA) / MP-3  
2) TO-252 (JEITA) / MP-3Z  
2.3 0.2  
6.5 0.2  
2.3 0.2  
6.5 0.2  
5.0 0.2  
4
0.5 0.1  
5.0 0.2  
0.5 0.1  
4
1
2
3
DESIGN  
1
2
3
1.1 0.2  
NEW  
1.1 0.2  
0.9 MAX.  
0.8 MAX.  
+0.2  
−0.1  
+0.2  
0.5  
0.5  
−0.1  
2.3 TYP.  
2.3 TYP.  
0.8 TYP.  
2.3 TYP.  
2.3 TYP.  
FOR  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Fin (Drain)  
NOT  
4. Fin (Drain)  
3) TO-252 (JEDEC) / MP-3ZK  
2.3 0.1  
6.5 0.2  
5.1 TYP.  
4.3 MIN.  
0.5 0.1  
No Plating  
EQUIVALENT CIRCUIT  
4
Drain  
1
2
3
Body  
Diode  
Gate  
No Plating  
0.76 0.12  
1.14 MAX.  
0 to 0.25  
0.5 0.1  
2.3 2.3  
Gate  
Protection  
Diode  
1.0  
Source  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Fin (Drain)  
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When  
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated  
voltage may be applied to this device.  
6
Data Sheet D14152EJ4V0DS  
1...34567

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与NP36N055IHE-E1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP36N055IHE-E1-AY RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252
NP36N055IHE-E1-AZ RENESAS

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 		Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		36A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PI

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