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NP36N055IHE-E1

更新时间： 2024-01-06 04:50:08
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
7页 169K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252

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NP36N055IHE-E1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.67其他特性：TAPE AND REEL
雪崩能效等级（Eas）：108 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NP36N055IHE-E1 数据手册

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NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE  
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS  
Figure7. DRAIN CURRENT vs.  
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE  
100  
Pulsed  
Pulsed  
200  
160  
120  
10  
1
0.1  
V
GS = 10 V  
T
A
= −55˚C  
25˚C  
80  
40  
0
75˚C  
150˚C  
175˚C  
0.01  
5
6
1
2
3
4
2
DS - Drain to Source Voltage - V  
4
3
0
1
V
GS - Gate to Source Voltage - V  
V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.  
GATE TO SOURCE VOLTAGE  
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.  
DRAIN CURRENT  
100  
40  
VDS=10V  
Pulsed  
Pulsed  
35  
10  
30  
25  
20  
15  
TA  
= 175˚C  
75˚C  
25˚C  
1
0.1  
−55˚C  
ID = 18 A  
10  
5
0.01  
0.01  
0
0.1  
1
10  
100  
0
5
10  
15  
20  
ID - Drain Current - A  
V
GS - Gate to Source Voltage - V  
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE  
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.  
CHANNEL TEMPERATURE  
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT  
Pulsed  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
4.0  
V
GµS  
I
D
D=S =25V0  
A
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
V
GS = 10 V  
0
1
10  
100  
1000  
−50  
0
50  
100  
150  
I
D
- Drain Current - A  
Tch - Channel Temperature - ˚C  
4
Data Sheet D14152EJ4V0DS  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP36N055IHE-E1-AY RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252
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 		36A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PI

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