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NP36N055IHE-E1

更新时间： 2024-02-20 19:42:53
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
7页 169K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252

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NP36N055IHE-E1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.67其他特性：TAPE AND REEL
雪崩能效等级（Eas）：108 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NP36N055IHE-E1 数据手册

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NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.  
CASE TEMPERATURE  
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS  
SAFE OPERATING AREA  
140  
120  
100  
80  
100  
80  
60  
40  
20  
0
60  
40  
20  
0
0
25 50 75 100 125 150 175 200  
0
25 50 75 100 125 150 175 200  
- Case Temperature - ˚C  
T
C
TC - Case Temperature - ˚C  
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA  
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY  
DERATING FACTOR  
1000  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
108 mJ  
I
D(pulse)  
DC  
100  
1 ms  
I
D(DC)  
Power Dissipation  
Limited  
IAS = 33 A  
36 A  
10  
1
T
C
= 25˚C  
12 mJ  
Single Pulse  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
V
DS - Drain to Source Voltage - V  
Starting Tch - Starting Channel Temperature - ˚C  
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH  
1000  
R
R
th(ch-A) = 125 ˚C/W  
100  
10  
th(ch-C) = 1.25 ˚C/W  
1
0.1  
0.01  
Single Pulse  
= 25˚C  
T
C
10 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
100  
1000  
100 µ  
PW - Pulse Width - s  
3
Data Sheet D14152EJ4V0DS  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP36N055IHE-E1-AY RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252
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 		36A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PI

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