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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.01 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 7 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.05 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP0BVP | ETC |
获取价格 |
HEEL GROUNDER BLUE PAIR |
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| NP0G1AE | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS C |
|
| NP0G3A0 | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| NP0G3A3 | ETC |
获取价格 |
複合デバイス － 複合トランジスタ |
|
| NP0G3A5 | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| NP0G3D1 | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| NP0G3D2 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP(NPN) epitaxial planar transistor (Tr1,2) |
|
| NP0G3D3 | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| NP0H3A3 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1), Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) |
|
| NP0J1A3 | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS C |
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