NP0G3D2

更新时间： 2024-02-23 05:30:56

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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5页	112K
描述
Silicon PNP(NPN) epitaxial planar transistor (Tr1,2)

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NP0G3D2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

NP0G3D2 数据手册

Transistors with built-in Resistor

NP0G3D2

Silicon PNP epitaxial planar transistor (Tr1)

Silicon NPN epitaxial planar transistor (Tr2)

Unit: mm

For digital circuits

0.12^+0.03

0.02

0 to 0.02

■ Features

• Two elements incorporated into one package

• Suitable for high density package and downsizing of the equipment

• Automatic insertion with the taping is possible

(0.35) (0.35)

1.00 0.05

Display at No.1 lead

■ Basic Part Number of Element

• UNR31AT × UNR32AL

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

−50

Unit

1: Base (Tr1)

2: Base (Tr2)

3: Emitter (Tr2)

4: Collector (Tr2)

5: Emitter (Tr1)

6: Collector (Tr1)

Tr1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

−50

SSSMini6-F1 Package

−80

Tr2

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

V_CBO

V_CEO

I_C

Marking Symbol: 3B

Internal Connection

°C

Overall Total power dissipation ^*

Junction temperature

P_T

125

T_j

125

Tr1

Tr2

Storage temperature

T_stg

−55 to +125

Note) : Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm

Publication date: July 2002

SJH00051AED

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