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NP0G3A3

更新时间: 2024-02-18 10:53:07
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其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 220K
描述
複合デバイス - 複合トランジスタ

NP0G3A3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC):0.08 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN AND PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

NP0G3A3 数据手册

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複合トランジスタ  
NP0G3A3  
シリコPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr1)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr2)  
Unit : mm  
デジタル回路用  
0.12+0.03  
-
0.02  
6
5
4
0 to 0.02  
特ꢀ長  
SSSミニ6端子ッケージで実装面  
積とアセンブリコス  
トの半減が可能  
1
2
3
パッケージ高0.4 mm (max.)で機器の薄形化に貢  
(0.35) (0.35)  
1.00 0.05  
1番ピン端子表示�  
基  
種  
UNR11A3 × UNR12A3  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
単位  
1 : Base (Tr1)  
2 : Base (Tr2)  
3 : Emitter (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Emitter (Tr1)  
6 : Collector (Tr1)  
SSSMini6-F1 Package  
Tr1  
コレクース間電圧  
VCBO  
50  
V
(E 開放時)  
コレクミッタ間  
VCEO  
50  
V
電圧(B 開放時)  
形名表示記号 : 3D  
コレクタ電流  
IC  
80  
mA  
V
Tr2  
コレクース間電圧  
(E 開放時)  
VCBO  
50  
内部接続図  
6
5
2
4
コレクミッタ間  
VCEO  
50  
V
電圧(B 開放時)  
Tr1  
Tr2  
コレクタ電流  
IC  
80  
mA  
mW  
°C  
*
総合  
全許容損失  
PT  
125  
合温度  
Tj  
125  
1
3
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +125  
°C  
) : 基板(17 mm × 10 mm × 1 mm)上で測定  
*
発行年月 : 20038月  
SJJ00283AJD  
1

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