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NP0G3A3

更新时间： 2024-02-02 19:37:23

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其他 - ETC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	220K
描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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NP0G3A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

NP0G3A3 数据手册

NP0G3A3

Tr2部特性図

I_C V_CE

V_CE(sat) I_C

h_FE I_C

250

200

150

100

V_CE= 10 V

8 mA

I_B= 10 mA 9 mA

7 mA

6 mA

5 mA

T_a= 75°C

4 mA

3 mA

25°C

−25°C

2 mA

1 mA

0.1

T_a= 75°C

−25°C

25°C

T_a= 25°C

I_C/ I_B= 10

10 100

0.01

0.1

100

(

)

コレクタ・エミッタ間電圧 V_CE

コレクタ電流 I_C(mA)

(

)

コレクタ電流 I_CmA

C_ob V_CB

I_O V_IN

V_IN I_O

100

V_O= 5 V

T_a= 25°C

V_O= 0.2 V

T_a= 25°C

f = 1 MHz

T_a= 25°C

0.1

0.5

1.0

1.5

2.0

100

(

)

入力電圧 V_IN

(

)

(

)

コレクタ・ベース間電圧 V_CB

出力電流 I_OmA

SJJ00283AJD

1 2 345

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与NP0G3A3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP0G3A5	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon	获取价格
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NP0J1A3	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS C	获取价格