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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 360 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256X4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 子类别： | SRAMs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NMC6552N-5/B+ | ETC |
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x4 SRAM |
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| NMC87C257Q150 | NSC |
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IC 32K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NMC87C257Q150 | TI |
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32KX8 UVPROM, 150ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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| NMC87C257Q200 | NSC |
获取价格 |
IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NMC87C257Q200 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 200ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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| NMC87C257QE150 | NSC |
获取价格 |
IC 32K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NMC87C257QE150 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 150ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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| NMC87C257QE200 | NSC |
获取价格 |
IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NMC87C257QE200 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 200ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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| NMC87C257V150 | NSC |
获取价格 |
IC 32K X 8 OTPROM, 150 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM |
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