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NMC6552N-5/A+

更新时间: 2024-02-10 05:34:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 332K
描述
IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC

NMC6552N-5/A+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:360 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:18字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

NMC6552N-5/A+ 数据手册

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