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NMC87C257VE200

更新时间: 2024-09-23 15:46:43
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 595K
描述
IC,EPROM,32KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC

NMC87C257VE200 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:200 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.03 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

NMC87C257VE200 数据手册

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