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NMC87C257QE150

更新时间： 2024-09-23 20:35:15

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美国国家半导体 - NSC		可编程只读存储器电动程控只读存储器输入元件输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	595K
描述
IC 32K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM

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NMC87C257QE150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	WDIP, DIP28,.6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.61
风险等级：	5.9	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	UVPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	WDIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE, WINDOW	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NMC87C257QE200	NSC	获取价格	IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM
NMC87C257QE200	TI	获取价格	32KX8 UVPROM, 200ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28
NMC87C257V150	NSC	获取价格	IC 32K X 8 OTPROM, 150 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM
NMC87C257V150	TI	获取价格	32KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NMC87C257V200	NSC	获取价格	IC 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM
NMC87C257V200	TI	获取价格	32KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NMC87C257VE150	NSC	获取价格	IC,EPROM,32KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
NMC87C257VE200	NSC	获取价格	IC,EPROM,32KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
NMC9306	NSC	获取价格	256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory
NMC9306EM	NSC	获取价格	Microwire Serial EEPROM