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NMC9306M8

更新时间: 2024-01-15 21:00:37
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美国国家半导体 - NSC 存储可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
7页 192K
描述
256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory

NMC9306M8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.91
最大时钟频率 (fCLK):0.25 MHz数据保留时间-最小值:10
耐久性:40000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:4.9 mm
内存密度:256 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:8字数:16 words
字数代码:16工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16X16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.003 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.01 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC):30 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

NMC9306M8 数据手册

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