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NMC9346

更新时间: 2024-02-21 11:22:18
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美国国家半导体 - NSC 存储
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7页 567K
描述
NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY

NMC9346 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.88
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):0.25 MHz
数据保留时间-最小值:10耐久性:40000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:9.817 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:8
字数:64 words字数代码:64
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64X16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm串行总线类型:MICROWIRE
最大待机电流:0.003 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.012 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:SOFTWAREBase Number Matches:1

NMC9346 数据手册

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