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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.91 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.25 MHz | 数据保留时间-最小值： | 10 |
| 耐久性： | 40000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.817 mm |
| 内存密度： | 256 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 16 words |
| 字数代码： | 16 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16X16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 串行总线类型： | MICROWIRE | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 30 ms | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NMC9307N | NSC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC9313B | NSC |
获取价格 |
256-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY |
|
| NMC9313BN | ETC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC9314B | NSC |
获取价格 |
SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY |
|
| NMC9314BN | ETC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC9314N | NSC |
获取价格 |
SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY |
|
| NMC9345M | ETC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC9345N | ETC |
获取价格 |
Microwire Serial EEPROM |
|
| NMC9346 | NSC |
获取价格 |
NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY |
|
| NMC9346E | NSC |
获取价格 |
NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY |
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