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NMC9346EM8

更新时间: 2024-02-20 18:43:14
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美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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7页 567K
描述
NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY

NMC9346EM8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.82
最大时钟频率 (fCLK):0.25 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:4.9 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:8
字数:64 words字数代码:64
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64X16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:NMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:3.9 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

NMC9346EM8 数据手册

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