是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | WDIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.26 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | WDIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE, WINDOW |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NMC87C257V150 | NSC |
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IC 32K X 8 OTPROM, 150 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM | |
NMC87C257V150 | TI |
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32KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NMC87C257V200 | NSC |
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IC 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM | |
NMC87C257V200 | TI |
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32KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NMC87C257VE150 | NSC |
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IC,EPROM,32KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC | |
NMC87C257VE200 | NSC |
获取价格 |
IC,EPROM,32KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC | |
NMC9306 | NSC |
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256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory | |
NMC9306EM | NSC |
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Microwire Serial EEPROM | |
NMC9306EM8 | NSC |
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256-Bit Serial Electrically Erasable Programmable Memory | |
NMC9306EM8X | TI |
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16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 |