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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP22,.4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 360 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T22 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 22 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256X4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP22,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.004 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NMC6551N-5/A+ | ETC | x4 Synchronous SRAM |
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| NMC6551N-5/B+ | ETC | x4 Synchronous SRAM |
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| NMC6552BJ2 | TI | IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| NMC6552BJ2/883 | TI | IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| NMC6552J2 | TI | IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| NMC6552J2/883B | TI | IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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