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NMC6551N-5/B+

更新时间: 2024-01-26 08:33:14
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
x4 Synchronous SRAM

NMC6551N-5/B+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP22,.4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:360 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T22
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:22字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP22,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.004 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

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