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NMC6551J2/883

更新时间: 2024-01-12 19:31:34
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 356K
描述
IC,SYNC SRAM,256X4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

NMC6551J2/883 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP22,.4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:300 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:22
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class C
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.004 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL

NMC6551J2/883 数据手册

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