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NMC6518N-5/B+

更新时间: 2024-02-19 14:44:50
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
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6页 182K
描述
x1 Synchronous SRAM

NMC6518N-5/B+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:310 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:18字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

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