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NMC6551BJ2

更新时间: 2024-02-05 22:16:58
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 356K
描述
IC,SYNC SRAM,256X4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

NMC6551BJ2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.87
最长访问时间:300 nsJESD-30 代码:R-XDIP-T22
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:22字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256X4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP22,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.004 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL

NMC6551BJ2 数据手册

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