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NMC6518J-9/A+

更新时间: 2024-01-16 15:17:14
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 315K
描述
IC,SYNC SRAM,1KX1,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC

NMC6518J-9/A+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:250 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T18JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:18
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

NMC6518J-9/A+ 数据手册

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