是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TSSOP, TSSOP16,.25 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.66 |
模拟集成电路 - 其他类型: | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 5 mm |
信道数量: | 4 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 16 | 通态电阻匹配规范: | 160 Ω |
最大通态电阻 (Ron): | 1100 Ω | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP16,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2/6 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大信号电流: | 0.025 A | 子类别: | Multiplexer or Switches |
最大供电电流 (Isup): | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 最长断开时间: | 300 ns |
最长接通时间: | 300 ns | 切换: | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 4.4 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NLVHC86ADR2G | ONSEMI |
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Quad 2-Input Exclusive OR Gate | |
NLVHCT08ADTR2G | ONSEMI |
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Quad 2-Input AND Gate with LSTTL Compatible Inputs | |
NLVHCT125ADTR2G | ONSEMI |
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四路非反相缓冲器,带 LSTTL 兼容输入,3 态 | |
NLVHCT132ADTR2G | ONSEMI |
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四路 2 输入 NAND 门极,带施密特触发器输入,可兼容 LSTTL 输入 | |
NLVHCT14ADR2G | ONSEMI |
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带施密特触发器输入的六路逆变器 | |
NLVHCT244ADTR2G | ONSEMI |
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八路 3 态非反相缓冲器/线路驱动器/线路接收器,TTL 电平 | |
NLVHCT244ADWR2G | ONSEMI |
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八路 3 态非反相缓冲器/线路驱动器/线路接收器,TTL 电平 | |
NLVHCT245ADTR2G | ONSEMI |
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Octal 3-State Non-Inverting Bus Transceiver | |
NLVHCT273ADWR2G | ONSEMI |
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八路 D 触发器 | |
NLVHCT366ADTR2G | ONSEMI |
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六路缓冲器/线路驱动器,3 态,反相,TTL |