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NEZ7177-4DL

更新时间: 2024-10-02 20:58:47
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
4页 161K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,

NEZ7177-4DL 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:15 V
FET 技术:METAL SEMICONDUCTOR最高频带:C BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

NEZ7177-4DL 数据手册

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