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NEZ7785-4D

更新时间： 2024-02-06 05:34:47
品牌 Logo 应用领域
CEL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN

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NEZ7785-4D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：10 V最大漏极电流 (ID)：1.5 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：25 W
最小功率增益 (Gp)：7 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

NEZ7785-4D 数据手册

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NEZ7785-15D  
NEZ7785-15DL  
NEZ7785-8D  
NEZ7785-8DL  
NEZ7785-4D  
NEZ7785-4DL  
C-BAND INTERNALLY  
MATCHED POWER GaAs MESFET  
FEATURES  
OUTPUT POWER AND EFFICIENCY  
vs. INPUT POWER  
•
•
•
•
HIGH POUT  
18W (42.5 dBm) Typ P1dB for NEZ7785-15D/15DL  
100%  
80%  
45  
40  
35  
-15D  
-8D  
9W (39.5 dBm) Typ P1dB for NEZ7785-8D/8DL  
4.5W (36.5 dbm) Typ P1dB for NEZ7785-4D/4DL  
HIGH EFFICIENCY  
-4D  
33% ηADD for 4.5W Device  
31% ηADD for 9W Device  
30% ηADD for 18W Device  
Pout  
60%  
40%  
Efficiency  
-8D  
LOW IMD  
30  
-4D  
-45 dBc IM3 @ 31.5 dBm (SCL) -15DL  
-45 dBc IM3 @ 29 dBm POUT (SCL) -8DL  
-45 dBc IM3 @ 26 dBm POUT (SCL) -4DL  
20%  
0%  
25  
20  
-15D  
SiO2 PASSIVATED CHIP  
For Power/Gain Stability Under RF Overdrive  
12  
17  
22  
27  
32  
37  
•
•
•
•
CLASS A OPERATION  
Input Power, PIN (dBm)  
INTERNALLY MATCHED (IN/OUT)  
SUPERIOR GAIN FLATNESS  
INDUSTRY COMPATIBLE HERMETIC PACKAGES  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C)  
PART NUMBER  
NEZ7785-4D  
NEZ7785-4DL  
T-61  
NEZ7785-8D  
NEZ7785-8DL  
T-61  
NEZ7785-15D  
NEZ7785-15DL  
T-65  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX TEST CONDITIONS  
1
P1dB  
Output Power at P1dB  
IDSQ = 0.8A, (RF Off)  
IDSQ = 1.6A  
dBm 35.5 36.5  
VDS = 10V  
dBm  
dBm  
38.5 39.5  
f = 7.7 to 8.5 GHz  
Zs = ZL = 50 Ω  
IDSQ = 4.0 A  
41.5 42.5  
ηADD  
IDS  
Power Added Efficiency @ P1dB  
Drain Current at P1dB  
Linear Gain  
%
A
33  
1.1  
7.0  
31  
2.2  
6.5  
30  
4.4  
6.0  
1.5  
8.0  
3.0  
7.5  
6.0  
7.0  
GL  
dB  
VDS = 10V  
f1 = 8.49 GHz  
f2 = 8.50 GHz  
Equal Tones  
IM3  
-XDL  
Option  
Only  
3rd Order Intermodulation Distortion3 at  
POUT = 26 dBm SCL2 IDSQ = 0.5 x IDSS  
POUT = 29 dBm SCL2 IDSQ = 0.5 x IDSS  
dBc  
dBc  
-45  
2.3  
-42  
-45  
-42  
7.0  
POUT = 31.5 dBm SCL2 IDSQ = 0.5 x IDSS dBc  
-45  
-42  
IDSS  
VP  
Saturated Drain Current, VGS = 0 V  
A
1.0  
3.5  
2.0  
4.5  
4.0  
9.2 14.0  
Pinch Off Voltage  
IDS = 15 mA  
V
V
V
-3.5 -2.0  
-0.5  
VDS = 2.5 V  
IDS = 30 mA  
IDS = 60 mA  
-3.5 -2.0 -0.5  
-3.5 -2.2 -0.5  
gm  
Transconductance  
IDS = I A  
mS  
mS  
mS  
1300  
IDS = 2 A  
IDS = 4A  
2600  
5200  
BVDGO  
Drain - Gate Breakdown Voltage  
IDG = 15 mA  
V
V
V
20  
22  
IDG = 30 mA  
IDG = 60 mA  
20  
22  
20  
22  
RTH (Ch-C) Thermal Resistance (Channel to Case)  
°C/W  
5.0  
6.0  
48  
2.5  
3.0  
48  
1.3  
1.5  
60  
∆T(CH-C)  
Channel Temperature Rise4  
°C  
Notes: 1. P1DB: Output Power at the 1dB Gain Compression Point. 2. SCL: Single Carrier Level. 3. Maximum Spec Applies to -XDL Option Only.  
4. ∆T(CH-C) = TCH - TC = 10 V X IDSQ X RTH (CH-C) MAX.  
California Eastern Laboratories  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NEZ7785-4DD NEC

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