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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 7 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NEZ7785-4DL | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ7785-8D | NEC |
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4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NEZ7785-8D | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ7785-8DD | NEC |
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4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NEZ7785-8DL | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ7785-8DL | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ-8B | NEC |
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C-BAND POWER GAAS MESFET |
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| NEZ-8BD | NEC |
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C-BAND POWER GAAS MESFET |
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| NEZB104Z55V135X75F | NIC |
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Memory Back-Up Capacitors |
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| NEZB105Z55V215X8F | NIC |
获取价格 |
Memory Back-Up Capacitors |
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