NEZ7785-8DD

更新时间： 2024-02-24 23:14:54

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日电电子 - NEC		晶体射频场效应晶体管
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18页	110K
描述
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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NEZ7785-8DD 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NEZ7785-8DD 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

GaAs MES FET

4W/8W C-BAND POWER GaAs FET NEZ Series

4W/8W C-BAND POWER GaAs FET

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS (unit: mm)

0.5±0.1

The NEZ Series of microwave power GaAs FETs offer

high output power, high gain and high efficiency at C-band

for microwave and satellite communications.

Internal input and output circuits matched to 50 Ω are

designed to provide good flatness of gain and output power

in allocated band.

C1.5 4PLACES

GATE

2.4

SOURCE

R1.6 2PLACES

To reduce the thermal resistance, the device has a PHS

(Plated Heat Sink) structure.

NEC’s strigent quality assurance and test procedures

guarantee the highest reliability and performance.

DRAIN

17.0±0.2

21.0±0.3

SELECTION CHART

10.7

NEZ PART NUMBER

NEZ3642-4D, 8D, 8DD

FREQUENCY BAND (GHz)

3.6 to 4.2

NEZ4450-4D, 4DD/8D, 8DD

NEZ5964-4D, 4DD/8D, 8DD

NEZ6472-4D, 4DD/8D, 8DD

NEZ7177-4D, 4DD/8D, 8DD

NEZ7785-4D, 4DD/8D, 8DD

4.4 to 5.0

5.9 to 6.45

12.0

6.4 to 7.2

7.1 to 7.7

7.7 to 8.5

FEATURES

•

Internally matched to 50 Ω

High power output

High linear gain

High reliability

Low distortion

Document No. P10981EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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