5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | C BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 最小功率增益 (Gp)： | 6 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NEZ7785-4D | NEC |
获取价格 |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NEZ7785-4D | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NEZ7785-4DD | NEC |
获取价格 |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NEZ7785-4DD | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NEZ7785-4DL | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NEZ7785-8D | NEC |
获取价格 |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NEZ7785-8D | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NEZ7785-8DD | NEC |
获取价格 |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NEZ7785-8DL | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NEZ7785-8DL | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
