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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NEZ7784-8B | NEC |
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C-BAND POWER GAAS MESFET |
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| NEZ7784-8BD | NEC |
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C-BAND POWER GAAS MESFET |
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| NEZ7785-15D | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ7785-15D | NEC |
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15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NEZ7785-15DD | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ7785-4D | NEC |
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4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NEZ7785-4D | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ7785-4DD | NEC |
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4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NEZ7785-4DD | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NEZ7785-4DL | CEL |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
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