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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NES602 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| NES60-24 | LAMBDA |
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DIN rail mountable type 30 ~ 240W |
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| NES60-24 | TDK |
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DIN rail mountable |
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| NES60-24 | INFINEON |
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AC-DC Power Factor Correction Module, 1 Output, 60W |
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| NES603 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 150V V(RRM), Silicon, |
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| NES6060 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| NES6287Z | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-259AA, Meta |
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| NES6294Z | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, TO |
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| NES65A | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, T |
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| NES65B | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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