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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-204AA | 包装说明： | O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.6 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.915 V | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 30 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NES6060 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| NES6287Z | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-259AA, Meta |
|
| NES6294Z | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, TO |
|
| NES65A | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, T |
|
| NES65B | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| NES6764 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| NES6NAD-100.0000(T) | PERICOM |
获取价格 |
Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Nom, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CERAMIC, SMD, |
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| NES6NAD-100.0000-10(T) | PERICOM |
获取价格 |
Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Nom, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CERAMIC, SM |
|
| NES6NAD-106.2500(T) | PERICOM |
获取价格 |
Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 106.25MHz Nom, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CERAMIC, S |
|
| NES6NAD-106.2500-10(T) | PERICOM |
获取价格 |
Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 106.25MHz Nom, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CERAMIC, |
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