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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 基于收集器的最大容量： | 19.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NEM081568-28 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 12A I(C) | RFMOD |
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| NEM082081B12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | SOT-171VAR |
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| NEM082081B-12 | CEL |
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN |
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| NEM084081B12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-171VAR |
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| NEM084081B-12 | CEL |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN |
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| NEM085068-28 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 12A I(C) | RFMOD |
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| NEM085081B12 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12A I(C) | SOT-171VAR |
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| NEM0899F06-30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-289 |
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| NEM090301-07 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SO |
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| NEM090303M-28 | RENESAS |
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UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, PLASTIC, 3M (T-91M), 2 PIN |
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