是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.89 |
Is Samacsys: | N | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e0 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大压摆率: | 15 mA | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 电信集成电路类型: | TONE DECODER CIRCUIT |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NE56800 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | CHIP |
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NE56803 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | MACRO-X |
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NE56853 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | RFMOD |
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NE56854 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | STX-M2.6 |
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NE56855 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150MA I(C) | FO-102VAR |
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NE56857 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | STX-M2.6 |
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