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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 子类别： | PLL or Frequency Synthesis Circuits | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE567T | NXP |
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IC TELECOM, TONE DECODER CIRCUIT, MBCY8, Telecom Signaling Circuit |
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| NE567V | TI |
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Tone Decoder |
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| NE56800 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | CHIP |
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| NE56803 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | MACRO-X |
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| NE56853 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | RFMOD |
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| NE56854 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | STX-M2.6 |
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| NE56855 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 150MA I(C) | FO-102VAR |
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| NE56857 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | STX-M2.6 |
|
| NE56887 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | FO-102VAR |
|
| NE568A | NXP |
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150MHz phase-locked loop |
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