NDH853N

更新时间： 2024-09-12 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDH853N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SUPERSOT-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.6 A
最大漏极电流 (ID)：	7.6 A	最大漏源导通电阻：	0.017 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDH853N 数据手册

May 1997

NDH853N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

7.6 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.017 W @ V_GS= 10 V

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance and provide

superior switching performance. These devices are particularly

suited for low voltage applications such as battery powered

circuits or portable electronics where fast switching, low in-line

power loss, and resistance to transients are needed.

R_DS(ON)= 0.025 W @ V_GS= 4.5 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Proprietary SuperSOT^TM-8 small outline surface mount

package with high power and current handling capability.

___________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

NDH853N

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

7.6

(Note 1a)

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.8

P_D

(Note 1c)

0.9

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

NDH853N Rev. C

12 3 4 5 6

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