5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB708AEL | TI |
获取价格 |
60A, 80V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB708AEL/L86Z | TI |
获取价格 |
60A, 80V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB708AL | TI |
获取价格 |
60A, 80V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB708AL/L86Z | TI |
获取价格 |
60A, 80V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB708AL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDB708B | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDB708B/L86Z | TI |
获取价格 |
52A, 80V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB708BE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDB708BEL | TI |
获取价格 |
52A, 80V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB708BEL/L86Z | TI |
获取价格 |
52A, 80V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
