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NCE80TD65BT

更新时间： 2024-04-09 19:00:43

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新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1655K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

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Pb Free Product

NCE80TD65BT

Typical Electrical and Thermal Characteristics

Figure 13 Switching Loss vs. R_G

Figure 14 Switching Loss vs. Collector Current

Eoff

Eon

Ets

Eoff

Eon

Ets

V_CE=400V

I_C=80A

Vg=15V

V_CE=400V

Rg =8Ω

Vg=15V

R_G, Gate Resistor (Ω)

I_C, Collector Current (A)

Figure 15 Switching Energy vs. Temperature

Figure 16 Switching Loss vs. Collector Current

Eoff

Eon

Ets

Eoff

Eon

Ets

V_CE=400V

Rg =8Ω

Vg=15V

T_J=175°C

V_CE=400V,I_C=80A

Rg=8Ω,Vg=15V

T_J, Junction Temperature (°C)

Figure 17 V_CESvs. Case Temperature

I_C=1mA

I_C, Collector Current (A)

Figure 18 I_Cvs. Temperature

T_C, Case Temperature (°C)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V4.2

http://www.ncepower.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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