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NCE80TD65BT

更新时间： 2024-04-09 19:00:43

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新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1655K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

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NCE80TD65BT 数据手册

Pb Free Product

NCE80TD65BT

Typical Electrical and Thermal Characteristics

Figure 7 Forward Characteristics

Figure 8 V_Fvs. Temperature

I_F=80A

I_F=40A

150°C

25°C

I_F=20A

V_F, Forward Voltage (V)

T_J, Junction Temperature (°C)

Figure 9 V_GE(th)vs. Temperature

Figure 10 V_CE(sat)vs. Collector Current

I_C=1mA

V_GE=15V

I_C, Collector Current (A)

T_J, Junction Temperature (°C)

Figure 12 Forward Bias Safe Operating Area

Figure 11 P_totvs. Case Temperature

not for linear use

T_C, Junction Temperature (°C)

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V4.2

http://www.ncepower.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCE80TD65BT4	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje	获取价格
NCE81	CTS	Hard PZT	获取价格
NCE8205	NCEPOWER	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	获取价格
NCE8205A	NCEPOWER	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	获取价格
NCE8205B	NCEPOWER	????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET	获取价格
NCE8205i	NCEPOWER	????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET	获取价格