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NCE20TD65BD

更新时间： 2024-04-09 19:01:03

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新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1085K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

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NCE20TD65BD 数据手册

Pb Free Product

NCE20TD65B

Typical Electrical and Thermal Characteristics

Figure 7 Forward Characteristics

Figure 8 V_Fvs. Temperature

IF=20A

IF=10A

150°C

25°C

IF=5A

T_J, Junction Temperature (°C)

V_F, Forward Voltage (V)

Figure 10 Gate-emitter Threshold Voltage as a

Function of Junction Temperature

Figure 9 Forward Bias Safe Operating

I_C=1mA

not for linear use

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

T_J, Junction Temperature (°C)

Figure 12 Typical Switching Times as a

Function of Junction Temperature

Figure 11 Typical Switching Times as a

Function of Gate Resistor

E_off

E_on

E_ts

E_off

E_on

E_ts

Vce=400V

Vce=400V,I_C=20A

Rg=22Ω,Vg=15V

I_C=20A,Vg=15V

T_J, Junction Temperature (°C)

R_G, Gate Resistor (Ω)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

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