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NCE15TD60BP

更新时间： 2024-04-09 18:58:48

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新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1123K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

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NCE15TD60BP 数据手册

Pb Free Product

NCE15TD60BP

Typical Electrical and Thermal Characteristics

Figure 7 Gate-emitter Threshold Voltage as a

Function of Junction Temperature

Figure 8 Typical Switching Times as a

Function of Gate Resistor

I_C=1mA

E_off

E_on

E_ts

V_CE=400V

I_C=15A

V_G=15V

R_G, Gate Resistor (Ω)

T_J, Junction Temperature (°C)

Figure 9 Typical Switching Times as a

Function of Junction Temperature

Figure10 Power Dissipation as a

Function of Case Temperature

E_off

E_on

E_ts

V_CE=400V,I_C=15A

R_G=8Ω,V_G=15V

T_J, Junction Temperature (°C)

T_C, Case Temperature (°C)

Figure 12 I_Cvs. Temperature

Figure 11 Forward Bias Safe Operating

not for linear use

T_C, Case Temperature (°C)

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V2.1

http://www.ncepower.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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