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NCE15TD60BP

更新时间： 2024-04-09 18:58:48

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新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1123K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

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NCE15TD60BP 数据手册

Pb Free Product

NCE15TD60BP

Typical Electrical and Thermal Characteristics

Figure 2 Transfer Characteristics

Figure 1 Output Characteristics

V_CE=20V

V_GE=17V

15V

13V

11V

25°C

150°C

V_GE, Gate-Emitter Voltage (V)

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

Figure 4 Saturation Voltage vs. V_GE

Figure 3 V_CEsatvs. Case Temperature

V_GE=15V

IC=30A

30A

IC=15A

IC=7.5A

7.5A

15A

T_J, Junction Temperature (°C)

V_GE, Gate-Emitter Voltage (V)

Figure 5 Capacitance Characteristics

Figure 6 Gate charge waveform

C_ies

V_CC=480V

C_oes

C_res

Q_G, Total Gate Charge (nC)

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V2.1

http://www.ncepower.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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