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NCE1227SP*

更新时间： 2024-03-03 10:10:57

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新洁能 - NCEPOWER		/
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7页	488K
描述
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结

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NCE1227SP* 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE1227SP

Symbol

V_GS(off)

Parameter

Condition

Min Typ

Max

Unit

Cutoff Voltage

V_SS=6V, I_S=1mA, Test Circuit 3

V_SS=6V,I_S=3A, Test Circuit 4

V_GS=4.5V,I_S=6A, Test Circuit 5

V_GS=4.0V,I_S=6A, Test Circuit 5

V_GS=3.8,I_S=6A, Test Circuit 5

V_GS=3.1V,I_S=6A, Test Circuit 5

0.5

0.9

1.3

|yg_FS|

Forward Transfer Admittance

1.6

2.1

2.7

mꢀ

ꢀ

1.65

2.2

2.8

Static Source to Source

On-Resistance

R_SS(on)

1.7

2.3

3.0

1.75

2.4

4.0

_GS=2.5V,I_S=6A, Test Circuit 5

1.9

2.8

5.0

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn-on Delay Time

Turn-on Rise Time

700

1500

6700

4100

V_SS=10V,I_S=6A V_GS=4.5V

Test Circuit 7

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

Total Gate Charge

_SS=10V,I_S=6A,V_GS=4.5V

Qgs

Qgd

C_lss

C_oss

C_rss

R_G

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Input Capacitance

6.5

Test Circuit 8

3870

507

421

680

V_SS=10V,V_GS=0V,

F=1.0KHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Gate resistance

F=1.0KHz

V_F(S-S)

Diode Forward Voltage

V_GS=0V,I_S=6A

1.2

Notes:

1 Mounted on Ceramic substrate (70 mm × 70 mm × t1.0 mm).

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 2

V1.0

123 4 5 6 7

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