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NAND128W3A3AZA6F PDF预览

NAND128W3A3AZA6F

更新时间： 2024-09-16 13:38:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
56页 882K
描述
16MX8 FLASH 3V PROM, 10000ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-55

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NAND128W3A3AZA6F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-55
针数：55Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.29最长访问时间：10000 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B55JESD-609代码：e1
长度：10 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1K
端子数量：55字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA55,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：512 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.05 mm
部门规模：16K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

NAND128W3A3AZA6F 数据手册

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NAND128-A, NAND256-A  
NAND512-A, NAND01G-A  
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)  
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES  
Figure 1. Packages  
–
–
–
Up to 1 Gbit memory array  
Up to 32 Mbit spare area  
Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■
NAND INTERFACE  
–
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed Address/ Data  
Pinout compatibility for all densities  
TSOP48 12 x 20mm  
■
■
■
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V  
3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V  
PAGE SIZE  
–
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes  
x16 device: (256 + 8 spare) Words  
WSOP48 12 x 17 x 0.65mm  
BLOCK SIZE  
–
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes  
x16 device: (8K + 256 spare) Words  
FBGA  
PAGE READ / PROGRAM  
–
–
–
Random access: 12µs (max)  
Sequential access: 50ns (min)  
Page program time: 200µs (typ)  
VFBGA55 8 x 10 x 1mm  
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm  
VFBGA63 8.5 x 15 x 1mm  
TFBGA63 8.5 x 15 x 1.2mm  
■
■
COPY BACK PROGRAM MODE  
Fast page copy without external buffering  
FAST BLOCK ERASE  
Block erase time: 2ms (Typ)  
–
■
■
HARDWARE DATA PROTECTION  
–
Program/Erase locked during Power  
transitions  
DATA INTEGRITY  
100,000 Program/Erase cycles  
10 years Data Retention  
DEVELOPMENT TOOLS  
–
■
■
■
STATUS REGISTER  
ELECTRONIC SIGNATURE  
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION  
–
–
–
Simple interface with microcontroller  
■
■
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP  
OPTION  
–
–
–
Error Correction Code software and  
hardware models  
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
PC Demo board with simulation software  
File System OS Native reference software  
Hardware simulation models  
Boot from NAND support  
Automatic Memory Download  
–
■
SERIAL NUMBER OPTION  
–
–
–
July 2004  
1/56  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...56

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与NAND128W3A3AZA6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND128W3A3AZA6T STMICROELECTRONICS

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 		16MX8 FLASH 3V PROM, 10000ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-55
NAND128W3A3BN1 STMICROELECTRONICS

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 		16MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND128W3A3BN1F STMICROELECTRONICS

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 		16MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
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 		Flash, 16MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND128W3A3BN6E STMICROELECTRONICS

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 		16MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
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 		Flash, 16MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND128W3A3BZA6 STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 16MX8, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
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NAND128W3A3BZA6F STMICROELECTRONICS

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 		16MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
NAND128W3A3BZA6T STMICROELECTRONICS

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