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NAND128W3A3BZA6F

更新时间： 2024-11-29 13:18:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
16MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

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NAND128W3A3BZA6F 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：BGA,
针数：63Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.14Is Samacsys：N
最长访问时间：12000 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B63
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：63字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NAND TYPEBase Number Matches：1

NAND128W3A3BZA6F 数据手册

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NAND FLASH  
528 Byte, 264 Word Page Family  
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)  
1.8V, 3V Supply Flash Memories  
DATA BRIEFING  
FEATURES SUMMARY  
■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES  
– Up to 1 Gbit memory array  
Figure 1. Packages  
– Up to 32Mbit spare area  
– Cost effective solutions for mass storage ap-  
plications  
■ NAND INTERFACE  
– x8 or x16 bus width  
TSOP48  
– Multiplexed Address/ Data  
– Pinout compatibility for all densities  
■ SUPPLY VOLTAGE  
12 x 20 mm  
FBGA  
– 1.8V device: V = 1.65 to 1.95V  
CC  
– 3.0V device: V = 2.7 to 3.6V  
CC  
■ PAGE SIZE  
VFBGA63 8.5x15x1 mm  
TFBGA63 8.5x15x1.2 mm  
VFBGA63 9x11x1 mm  
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes  
– x16 device: (256 + 8 spare) Words  
■ BLOCK SIZE  
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes  
– x16 device: (8K + 256 spare) Words  
■ PAGE READ / PROGRAM  
– Random access: 12µs (max)  
– Sequential access: 50ns (min)  
– Page program time: 200µs (typ)  
■ COPY BACK PROGRAM MODE  
– Fast page copy without external buffering  
■ CACHE PROGRAM MODE  
■ AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP  
OPTION  
– Boot from NAND support  
– Automatic Memory Download  
■ SERIAL NUMBER OPTION  
■ HARDWARE DATA PROTECTION  
– Program/Erase locked during Power transi-  
tions  
■ DATA INTEGRITY  
– 100,000 Program/Erase cycles  
– 10 years Data Retention  
■ DEVELOPMENT TOOLS  
– Internal Cache Register to improve the pro-  
gram throughput  
■ FAST BLOCK ERASE  
– Error Correction Code software and hard-  
ware models  
– Block erase time: 2ms (Typ)  
■ STATUS REGISTER  
– Bad Blocks Management and Wear Leveling  
algorithms  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
■ CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION  
– Simple interface with microcontroller  
– PC Demo board with simulation software  
– File System OS Native reference software  
– Hardware simulation models  
August 2003  
1/5  
For further information please contact the STMicroelectronics distributor nearest to you.  
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与NAND128W3A3BZA6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND128W3A3BZA6T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 16MX8, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
NAND128W3A3CN6 STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 16MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND128W3A3CN6E STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 16MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND128W3A3CN6F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Flash, 16MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND128W3A3CN6T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 16MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND128W4A STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W4A0AN1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W4A0AN1E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W4A0AN1F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND128W4A0AN1T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash

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