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NAND04GW3B2BN1

更新时间： 2024-10-26 19:13:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
57页 887K
描述
512MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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NAND04GW3B2BN1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.6最长访问时间：35 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：4294967296 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：4K
端子数量：48字数：536870912 words
字数代码：512000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：2K words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND04GW3B2BN1 数据手册

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NAND01G-B, NAND02G-B,  
NAND04G-B, NAND08G-B  
1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit  
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES  
Figure 1. Packages  
–
–
–
Up to 8 Gbit memory array  
Up to 64Mbit spare area  
Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■
NAND INTERFACE  
TSOP48 12 x 20mm  
–
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed Address/ Data  
Pinout compatibility for all densities  
FBGA  
■
■
■
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
1.8V device: V = 1.7 to 1.95V  
DD  
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm  
TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm  
3.0V device: V = 2.7 to 3.6V  
DD  
PAGE SIZE  
–
–
x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes  
x16 device: (1024 + 32 spare) Words  
■
■
DATA PROTECTION  
–
–
Hardware and Software Block Locking  
Hardware Program/Erase locked during  
Power transitions  
BLOCK SIZE  
–
–
x8 device: (128K + 4K spare) Bytes  
x16 device: (64K + 2K spare) Words  
DATA INTEGRITY  
PAGE READ / PROGRAM  
–
–
100,000 Program/Erase cycles  
10 years Data Retention  
RoHS COMPLIANCE  
Lead-Free Components are Compliant  
with the RoHS Directive  
DEVELOPMENT TOOLS  
–
–
–
Random access: 25µs (max)  
Sequential access: 50ns (min)  
Page program time: 300µs (typ)  
■
■
–
■
■
COPY BACK PROGRAM MODE  
Fast page copy without external buffering  
–
CACHE PROGRAM AND CACHE READ  
MODES  
–
Error Correction Code software and  
hardware models  
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
PC Demo board with simulation software  
File System OS Native reference software  
Hardware simulation models  
–
Internal Cache Register to improve the  
program and read throughputs  
–
■
FAST BLOCK ERASE  
Block erase time: 2ms (typ)  
–
–
–
–
■
■
■
STATUS REGISTER  
ELECTRONIC SIGNATURE  
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’  
–
for simple interface with microcontroller  
■
SERIAL NUMBER OPTION  
October 2005  
1/57  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...57

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与NAND04GW3B2BN1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND04GW3B2BN1E STMICROELECTRONICS

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3B2BN1E NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3B2BN1F STMICROELECTRONICS

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3B2BN1F NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3B2BN1T NUMONYX

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 		暂无描述
NAND04GW3B2BN1T STMICROELECTRONICS

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 		512MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2BN6 STMICROELECTRONICS

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 		512MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2BN6E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3B2BN6E NUMONYX

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
NAND04GW3B2BN6F STMICROELECTRONICS

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 		4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

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