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NAND04GW3B2CN1E

更新时间： 2024-10-26 03:01:43

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
69页	1707K
描述
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

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NAND04GW3B2CN1E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25000 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e3	长度：	18.4 mm
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	536870912 words
字数代码：	512000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

NAND04GW3B2CN1E 数据手册

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

Preliminary Data

Features

■ High density NAND Flash Memory

– Up to 8 Gbit memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

■ NAND interface

TSOP48 12 x 20 mm (N)

– x8 or 16x bus width

– Multiplexed address/data

LGA

■ Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

■ Page size

LGA52 12 x 17 mm (ZL)

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

■ Data protection:

■ Block size

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64K + 2 K spare) words

– Non-volatile protection option

■ ONFI 1.0 compliant command set

■ Data integrity

■ Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

– 100 000 program/erase cycles (with ECC

(error correction code))

performed on both planes at the same time

■ Page read/program

– 10 years data retention

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

■ ECOPACK packages

Table 1.

Device Summary

Part number

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Reference

NAND04GR3B2D

NAND04GW3B2D

NAND04GR4B2D⁽¹⁾

NAND04GW4B2D⁽¹⁾

NAND08GR3B2C,

NAND08GW3B2C

NAND08GR4B2C⁽¹⁾

NAND08GW4B2C⁽¹⁾

NAND08GR3B4C

NAND08GW3B4C

■ Copy back program with automatic error

detection code (EDC)

NAND04G-B2D

NAND08G-BxC

■ Cache read mode

■ Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks):

1.5 ms (typ)

■ Status Register

■ Electronic signature

■ Chip Enable ‘don’t care’

■ Serial number option

1. x16 organization only available for MCP products.

December 2007

Rev 3

1/69

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...69

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与NAND04GW3B2CN1E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NAND04GW3B2CN1F	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GW3B2CN1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	Flash, 512MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2CN6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND04GW3B2CN6E	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GW3B2CN6F	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GW3B2CZL1E	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND04GW3B2CZL1F	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
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